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氮化鎵黑馬元拓高科發布GaNmosfet: 體積小，內阻低，耐壓高，散熱快
發布時間：2021-12-24 欄目行業：產品知識 瀏覽次數：
深圳元拓高科作為國內第三代半導體設計公司，集合了國內外十數名資深功率器件資深專家，最新推出專門用于快充充電頭的氮化鎵Mos管YT65系列。該產品主要針對30W——120W 快充頭，體積小，內阻低，耐壓高，集成度高，散熱快，助力用戶輕松設計充電頭。
該系列芯片具有以下優勢：
1.體積小
YT65系列不同于業界普遍采用的QFN8*8封裝，采用DFN5*6的封裝，在追求小型化，大功率密度的設計中，節省了PCB空間, 大大簡化了工程師布板的難度。
以下是參考設計demo,65W 1A1C；業績體積最小。功率密度達2.08w;
2.內阻低
YT65系列中的YT65E15DAB為單體增強型設計，內阻低至120mΩ，大大降低了MOS管在工作是的發熱，提高工作電流。
3.耐壓高
本公司所有系列的GaN產品，耐壓最低在750V以上，電路設計，電路保護，不發生炸機。降低了工程師在設計中的風險，對其他物料的選型不挑品牌。在缺物料的大環境市場行情中，更快設計，更快出品。
3.外圍簡單
外圍電路簡單，該芯片內部內置驅動，外圍設計非常簡單，Vgs最大20V，可以直接驅動，無需另外驅動電路。少用10幾顆元器件，對于客戶BOM成本，加工成本都能降低，同時大大降低了生產工藝難度，易于生產。從而整體降低產品成本。
4.獨特封裝設計，散熱更快
采用DFN5*6的封裝，而且底部超大散熱面積，有效降低了熱量在芯片的疊加，增加了安全性。整個產品外殼的溫升也得到有效的控制。另外，獨特的EMI設計，整個充電頭過安規認證也更容易。
