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產品名稱：維安WMN04N65DM，650V N溝道功率MOSFET規格書
產品型號：WMN04N65DM
代理品牌：Wayon維安
產品封裝： TO-220F，TO-262 ，TO-252，TO-251，TO-251S2，TO-251S3
交期時間：現貨一般當天交貨，預定需電話詳情.
發貨貨倉：深圳/香港/上海/蘇州
熱門標簽：WMN04N65DM規格書，WMN04N65DM原理圖
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描述
WMOSTM DM是硅N溝道增強型VDMOSFET，采用自對準平面技術獲得，可降低導通損耗，提高開關性能，增強雪崩能量。 該晶體管可用于各種功率開關電路，以實現系統小型化和更高效率。
特征
快速切換
典型。 RDS(on) =2.3Ω
低柵極電荷（典型值 Qg = 12.5C）
典型。 Crss = 4.1pF
100% UIS 測試
應用
LED照明、充電器、適配器、PC、液晶電視、服務器
Part Package Marking Packing method
WML04N65DM TO-220F WML04N65DM Tube
WMN04N65DM TO-262 WMN04N65DM Tube
WMO04N65DM TO-252 WMO04N65DM Tape and Reel
WMP04N65DM TO-251 WMP04N65DM Tube
WMH04N65DM TO-251S2 WMH04N65DM Tube
WMG04N65DM TO-251S3 WMG04N65DM Tube
Description
WMOSTM DM, the silicon N-channel enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency.
Features
Fast Switching
Typ. RDS(on) =2.3Ω
Low Gate Charge (Typ. Qg = 12.5C)
Typ. Crss = 4.1pF
100% UIS Tested
Applications
LED Lighting, Charger, Adapter, PC, LCD TV, Server
